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河口废铜线服务L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。RC电路的时间常数：τ=RC充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)]U是电源电压放电时，uc=Uo×e(-t/τ)Uo是放电前电容上电压RL电路的时间常数：τ=L/RLC电路接直流，i=Io[1-e(-t/τ)]Io是 终稳定电流LC电路的短路，i=Io×e(-t/τ)]Io是短路前L中电流设V0为电容上的初始电压值；V1为电容 终可充到或放到的电压值；Vt为t时刻电容上的电压值。国产场效应管的型号命名方法有两种：种型号命名方法由五部分组成，部分用数字表示电极数目，3表示有3个电极；第二部分用字母表示沟道材料：D是P型硅N沟道，C是N型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类：字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管；第四部分用数字表示序号。第五部分用字母表示电流档数。，3DO1D表示结型N沟道场效应三极管，3D06C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法用字母“CS”+“XX#”的形式。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。

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